Številka izdelka proizvajalca:
IMW120R220M1HXKSA1
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IMW120R220M1HXKSA1-DG
Opis:
SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 13A (Tc) 75W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Zaloga:
1290 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800959
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IMW120R220M1HXKSA1 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tube
Serije
CoolSiC™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
15V, 18V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
286mOhm @ 4A, 18V
vgs(th) (maks) @ id
5.7V @ 1.6mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.5 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+23V, -7V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
289 pF @ 800 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
75W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
PG-TO247-3-41
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
IMW120
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SP001946188
Standardni paket
30
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
Not Applicable
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
IPB65R110CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263-3
IPD050N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-31