Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IPB65R190C7ATMA2
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IPB65R190C7ATMA2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO263-3
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Zaloga:
630 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12800811
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IPB65R190C7ATMA2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
CoolMOS™ C7
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 290µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1150 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
72W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
PG-TO263-3
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IPB65R190
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IPB65R190C6ATMA1 Datasheet
HTML tehnični list
IPB65R190C7ATMA2-DG
Tehnični listi
IPB65R190C7ATMA2
Dodatne informacije
Druga imena
IPB65R190C7ATMA2CT
INFINFIPB65R190C7ATMA2
2156-IPB65R190C7ATMA2
IPB65R190C7ATMA2DKR
IPB65R190C7ATMA2TR
SP002447550
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STB28N60DM2
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
1791
ŠTEVILKA DELA
STB28N60DM2-DG
CENA ENOTE
1.58
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SIHB21N65EF-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
343
ŠTEVILKA DELA
SIHB21N65EF-GE3-DG
CENA ENOTE
2.21
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STB30N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
854
ŠTEVILKA DELA
STB30N80K5-DG
CENA ENOTE
3.78
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
AOB25S65L
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
1670
ŠTEVILKA DELA
AOB25S65L-DG
CENA ENOTE
1.72
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
SIHB22N60ET1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
565
ŠTEVILKA DELA
SIHB22N60ET1-GE3-DG
CENA ENOTE
1.52
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IPB10N03LB
MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3
IPC50N04S55R8ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
IPB90R340C3ATMA2
MOSFET N-CH 900V 15A TO263-3
IPD65R420CFDAATMA1
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO252-3