Številka izdelka proizvajalca:
IRF6775MTRPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Številka dela:
IRF6775MTRPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Podroben opis:
N-Channel 150 V 4.9A (Ta), 28A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ
Zaloga:
13349 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12804047
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF6775MTRPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Infineon Technologies
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.9A (Ta), 28A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
56mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1411 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Delovna temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DIRECTFET™ MZ
Paket / Primer
DirectFET™ Isometric MZ
Osnovna številka izdelka
IRF6775
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF6775MTRPBFCT
IRF6775MTRPBFDKR
IRF6775MTRPBFTR
SP001562042
IRF6775MTRPBF-DG
Standardni paket
4,800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
IPN95R1K2P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 6A SOT223
