IXTQ30N50P
Številka izdelka proizvajalca:

IXTQ30N50P

Product Overview

Proizvajalec:

IXYS

DiGi Electronics Številka dela:

IXTQ30N50P-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 30A TO3P
Podroben opis:
N-Channel 500 V 30A (Tc) 460W (Tc) Through Hole TO-3P

Zaloga:

12908503
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IXTQ30N50P Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Littelfuse
Pakiranje
-
Serije
Polar
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
30A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
4150 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
460W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-3P
Paket / Primer
TO-3P-3, SC-65-3
Osnovna številka izdelka
IXTQ30

Tehnični list in dokumenti

Dodatne informacije

Standardni paket
30

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
STW19NM50N
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
337
ŠTEVILKA DELA
STW19NM50N-DG
CENA ENOTE
3.02
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
APT30F50B
PROIZVAJALEC
Microchip Technology
KOLIČINA NA VOLJO
86
ŠTEVILKA DELA
APT30F50B-DG
CENA ENOTE
4.10
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRF9Z24S

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK

vishay-siliconix

IRFR9024TRL

MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK

vishay-siliconix

IRFZ20PBF

MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR220PBF

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK