VP0106N3-G
Številka izdelka proizvajalca:

VP0106N3-G

Product Overview

Proizvajalec:

Microchip Technology

DiGi Electronics Številka dela:

VP0106N3-G-DG

Opis:

MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3
Podroben opis:
P-Channel 60 V 250mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Zaloga:

1159 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12861352
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

VP0106N3-G Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Microchip Technology
Pakiranje
Bag
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
250mA (Tj)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
60 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-92-3
Paket / Primer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Osnovna številka izdelka
VP0106

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
renesas-electronics-america

NP35N04YUG-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 35A 8HSON

renesas-electronics-america

2SK1341-E

MOSFET N-CH 900V 6A TO3P

renesas-electronics-america

NP100N04PUK-E1-AY

MOSFET N-CH 40V 100A TO263