Številka izdelka proizvajalca:

FDMC035N10X1

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

FDMC035N10X1-DG

Opis:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100

Podroben opis:

N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

13001583

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

FDMC035N10X1 Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

PowerTrench®

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

100 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

5.5A (Ta)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

6V, 10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

37mOhm @ 5.5A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

4V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

58 nC @ 10 V

Vgs (maks)

±20V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

2675 pF @ 50 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

2.3W (Ta), 50W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Paket / Primer

8-PowerWDFN

Dodatne informacije

Druga imena

488-FDMC035N10X1

Standardni paket

1

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3