Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
NDD60N550U1T4G
Product Overview
Proizvajalec:
onsemi
DiGi Electronics Številka dela:
NDD60N550U1T4G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 8.2A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12856779
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
NDD60N550U1T4G Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
onsemi
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
550mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±25V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
540 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
94W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Osnovna številka izdelka
NDD60
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
NDD60N550U1T4G-DG
Tehnični listi
NDD60N550U1T4G
Dodatne informacije
Druga imena
2156-NDD60N550U1T4G-ONTR
ONSONSNDD60N550U1T4G
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
TK560P65Y,RQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
4898
ŠTEVILKA DELA
TK560P65Y,RQ-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
TK11P65W,RQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
485
ŠTEVILKA DELA
TK11P65W,RQ-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SPD07N60C3ATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
4363
ŠTEVILKA DELA
SPD07N60C3ATMA1-DG
CENA ENOTE
0.96
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
TK10P60W,RVQ
PROIZVAJALEC
Toshiba Semiconductor and Storage
KOLIČINA NA VOLJO
5042
ŠTEVILKA DELA
TK10P60W,RVQ-DG
CENA ENOTE
1.18
VRSTA NADOMESTILA
Similar
ŠTEVILO DELA
SIHD7N60E-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
135
ŠTEVILKA DELA
SIHD7N60E-GE3-DG
CENA ENOTE
0.74
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTD4860N-1G
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
NTLUS4930NTBG
MOSFET N-CH 30V 3.8A 6UDFN
NVMFS5C456NLAFT3G
MOSFET N-CH 40V 22A/87A 5DFN
NTMS7N03R2
MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC