NTD4858NA-35G

Številka izdelka proizvajalca:

NTD4858NA-35G

Product Overview

Proizvajalec:

onsemi

DiGi Electronics Številka dela:

NTD4858NA-35G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 25V 11.2A/73A IPAK

Podroben opis:

N-Channel 25 V 11.2A (Ta), 73A (Tc) 1.3W (Ta), 54.5W (Tc) Through Hole I-Pak

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

12860272

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

NTD4858NA-35G Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

onsemi

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

MOSFET (Metal Oxide)

Odtok do napetosti vira (vdss)

25 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

11.2A (Ta), 73A (Tc)

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

6.2mOhm @ 30A, 10V

vgs(th) (maks) @ id

2.5V @ 250µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

19.2 nC @ 4.5 V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

1563 pF @ 12 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

1.3W (Ta), 54.5W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vrsta montaže

Through Hole

Paket naprav dobavitelja

I-PAK

Paket / Primer

TO-251-3 Stub Leads, IPak

Osnovna številka izdelka

NTD48

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

HTML tehnični list

NTD4858NA-35G-DG

Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena

ONSONSNTD4858NA-35G

2156-NTD4858NA-35G-ON

Standardni paket

75

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

1 (Unlimited)

Stanje uredbe REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

renesas-electronics-america

NP55N055SDG-E1-AY

MOSFET N-CH 55V 55A TO252

renesas-electronics-america

NP36P04SDG-E1-AY

MOSFET P-CH 40V 36A TO252

renesas-electronics-america

NP109N055PUJ-E1B-AY

MOSFET N-CH 55V 110A TO263

renesas-electronics-america

HAT2096H-EL-E

MOSFET N-CH 30V 40A LFPAK