Številka izdelka proizvajalca:
SCT30N120D2
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
SCT30N120D2-DG
Opis:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Podroben opis:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Zaloga:
12875915
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SCT30N120D2 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
40A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
20V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+25V, -10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1700 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
270W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
HiP247™
Paket / Primer
TO-247-3
Osnovna številka izdelka
SCT30
Dodatne informacije
Standardni paket
490
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2