Številka izdelka proizvajalca:
STF10N65K3
Product Overview
Proizvajalec:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Številka dela:
STF10N65K3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Podroben opis:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Zaloga:
952 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12948656
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
STF10N65K3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
STMicroelectronics
Pakiranje
Tube
Serije
SuperMESH3™
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1Ohm @ 3.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.5V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
35W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220FP
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack
Osnovna številka izdelka
STF10
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
497-12562-5
STF10N65K3-DG
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
AIMW120R045M1XKSA1
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
IPD90P03P404ATMA2
MOSFET P-CH 30V 90A TO252-31
IPD80P03P4L07ATMA2
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
