Številka izdelka proizvajalca:
TK12P50W,RQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK12P50W,RQ-DG
Opis:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Podroben opis:
N-Channel 500 V 11.5A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK
Zaloga:
1950 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12988646
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK12P50W,RQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.7V @ 600µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
890 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
100W (Tc)
Delovna temperatura
150°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
DPAK
Paket / Primer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TK12P50WRQTR-DG
264-TK12P50W,RQTR
264-TK12P50W,RQTR-DG
264-TK12P50W,RQCT
264-TK12P50W,RQDKR
264-TK12P50WRQTR
Standardni paket
2,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
TPH2R903PL,L1Q
PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORSOP8-AD
IPW65R125CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW