Številka izdelka proizvajalca:
TK14G65W,RQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK14G65W,RQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK
Zaloga:
3525 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891492
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK14G65W,RQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
DTMOSIV
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
13.7A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3.5V @ 690µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1300 pF @ 300 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
130W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
D2PAK
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
TK14G65
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK14G65W,RQ(S
TK14G65WRQTR
TK14G65WRQCT
TK14G65WRQDKR
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BSS138W-7
MOSFET N-CH 50V 0.2A SOT323
2SK2035(T5L,F,T)
MOSFET N-CH 20V 100MA SSM
TPH5R906NH,L1Q
MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
