TPH5R906NH,L1Q
Številka izdelka proizvajalca:

TPH5R906NH,L1Q

Product Overview

Proizvajalec:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Številka dela:

TPH5R906NH,L1Q-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 28A 8SOP
Podroben opis:
N-Channel 60 V 28A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)

Zaloga:

24969 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891498
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

TPH5R906NH,L1Q Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.9mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3100 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH5R906

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
TPH5R906NHL1QTR
TPH5R906NHL1QDKR
TPH5R906NHL1QCT
TPH5R906NHL1Q
TPH5R906NH,L1Q(M
Standardni paket
5,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
toshiba-semiconductor-and-storage

TK2Q60D(Q)

MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD2

toshiba-semiconductor-and-storage

TK56E12N1,S1X

MOSFET N CH 120V 56A TO-220

diodes

BSS138TA-79

MOSFET N-CH SOT23

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J352F,LF

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI