Številka izdelka proizvajalca:
TK58E06N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK58E06N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220
Podroben opis:
N-Channel 60 V 58A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
12891154
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK58E06N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
58A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3400 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
110W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK58E06
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK58E06N1,S1X(S
TK58E06N1S1X
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FDP047N08
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
4680
ŠTEVILKA DELA
FDP047N08-DG
CENA ENOTE
1.45
VRSTA NADOMESTILA
Similar
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH4R50ANH,L1Q
MOSFET N CH 100V 60A SOP ADV
TPH8R008NH,L1Q
MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP
2SK2989(TPE6,F,M)
MOSFET N-CH TO92MOD
