Številka izdelka proizvajalca:
TPH1R712MD,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPH1R712MD,L1Q-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP
Podroben opis:
P-Channel 20 V 60A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Zaloga:
12171 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891359
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH1R712MD,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVI
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
60A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 30A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.2V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
182 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±12V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10900 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
78W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPH1R712
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPH1R712MD,L1Q(M
TPH1R712MDL1QDKR
TPH1R712MDL1QTR
TPH1R712MDL1QCT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK5A65DA(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220SIS
TPHR9003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 60A 8SOP
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333