Številka izdelka proizvajalca:
TPN4R806PL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN4R806PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 72A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
13199 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920893
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN4R806PL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
72A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2770 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN4R806
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPN4R806PLL1QTR
264-TPN4R806PLL1QCT
264-TPN4R806PLL1QDKR
TPN4R806PL,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK110P10PL,RQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK3R3A06PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TK16J60W5,S1VQ
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR