Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRFBE30
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFBE30-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12893836
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFBE30 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
800 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
4.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFBE30
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
IRFBE30-DG
Tehnični listi
IRFBE30
Podatkovni listi
IRFBE30, SiHFBE30
Packaging Information
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFBE30
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP5NK80Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
240
ŠTEVILKA DELA
STP5NK80Z-DG
CENA ENOTE
0.85
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP4N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
202
ŠTEVILKA DELA
STP4N80K5-DG
CENA ENOTE
0.73
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP4NK80Z
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STP4NK80Z-DG
CENA ENOTE
0.76
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
STP3N80K5
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
841
ŠTEVILKA DELA
STP3N80K5-DG
CENA ENOTE
0.59
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFBE30PBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
2597
ŠTEVILKA DELA
IRFBE30PBF-DG
CENA ENOTE
0.83
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TSM6N50CP ROG
MOSFET N-CH 500V 5.6A TO252
DMP4050SSS-13
MOSFET P-CH 40V 4.4A 8SO
DMT6005LSS-13
MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
TSM1N45DCS RLG
MOSFET N-CH 450V 500MA 8SOP