IRFI820GPBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRFI820GPBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRFI820GPBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3

Zaloga:

12868727
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
RQwZ
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFI820GPBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
30W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
IRFI820

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
*IRFI820GPBF
Standardni paket
1,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFR214TR

MOSFET N-CH 250V 2.2A DPAK

vishay-siliconix

IRF730APBF

MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFBF20PBF

MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB

vishay-siliconix

IRFD9010PBF

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP