Številka izdelka proizvajalca:
TK46E08N1,S1X
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TK46E08N1,S1X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 80V 80A TO220
Podroben opis:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 103W (Tc) Through Hole TO-220
Zaloga:
23 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890796
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TK46E08N1,S1X Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tube
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
80 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.4mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 40 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
103W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TK46E08
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TK46E08N1S1X
TK46E08N1,S1X(S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
STP100N10F7
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
88
ŠTEVILKA DELA
STP100N10F7-DG
CENA ENOTE
1.11
VRSTA NADOMESTILA
Direct
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPH4R003NL,L1Q
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
SSM3J15FU,LF
MOSFET P-CH 30V 100MA USM
TK12Q60W,S1VQ
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
